CA-IS3214TSCG
量產
適用于IGBT/SiC、高 CMTI、10A 拉/灌電流的單通道增強隔離柵極驅動器
CA-IS3214 是一系列基于電容隔離的單通道柵極驅 動器,可用于驅動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 等功率 器件。該驅動器具有出色的動態性能和高可靠性,同時 具有高達10A/10A 峰值的拉/灌電流能力。 CA-IS3214 通過 SiO2 電容隔離技術實現控制側與驅 動側的電氣隔離,支持 1.5kVRMS的隔離工作電壓、12.8 kVPK 浪涌抗擾度,額定工作電壓下隔離柵壽命超過 40 年,同時具有良好的器件一致性以及>150kV/μs 的共模 瞬態抗擾度 (CMTI)。
CA-IS3214 具有控制和驅動側電源UVLO功能,同時 針對 SiC 和 IGBT 開關行為進行了優化,并提高了可靠 性。此外,CA-IS3214MxG 內置5A 峰值電流有源米勒鉗 位;CA-IS3214SxG 和 CA-IS3214TSCG 具有 OUTH 和OUTL 分離輸出配置。
CA-IS3214 輸入 IN+/IN–提供 CMOS 或者 TTL 邏輯選 項,其中CA-IS3214TSCG為TLL邏輯,其它料號為CMOS 邏輯。
CA-IS3214 器件采用 8 引腳寬體 SOIC 封裝。所有器 件的額定工作結溫范圍為 –40°C至 +150°C。
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特性
驅動高達 2121VPK的 SiC MOSFET 和 IGBT
10A/10A 峰值拉/灌驅動電流能力
輸入CMOS或者TTL(CA-IS3214TSCG)邏輯
寬電源范圍
3.0V 至 5.5V 輸入側 VCC 電源范圍
高達 33V 的輸出驅動電源(VDD – VEE),具有兩種UVLO 選項: B版本:8V 、C版本:12.5V輸入引腳上30ns(典型值)脈沖抑制功能
延時特性
80ns(典型值)傳播延遲
15ns(最大值)脈寬失真
15ns(最大值)器件間延時匹配SOIC8-WB 封裝,爬電距離和電氣間隙>8.2mm, 5700VRMS隔離耐壓等級
高共模瞬態抗擾度
>150kV/μs
額定工作電壓下隔離柵壽命大于40年
工作結溫(TJ)范圍 :–40°C至 150°C
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應用
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電機逆變器
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新能源車載充電器
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光伏逆變器
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器件信息
器件型號 封裝 封裝尺寸(標稱值) CA-IS3214xxG SOIC8-WB (G) 5.85mm x 7.50mm CA-IS3214TSCG SOIC8-WB (G) 5.85mm x 7.50mm -
簡化通道結構圖
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技術文檔
文檔名稱
文件種類
更新日期
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文件種類: 規格書
更新日期: 2026.01.12
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認證標準
認證名稱
認證種類
認證編號
認證日期
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認證種類: 可靠性
認證編號: CA-IS3214xCG_V1.1
認證日期: 2025.11.17
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